光學平臺產品及廠家
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-05-09
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-05-09
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-05-09
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-05-09
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-05-09
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-05-09
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時間:2025-05-09
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現不同功能之間的切換。
更新時間:2025-05-09
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復雜的研發(fā)應用。
更新時間:2025-05-09
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-05-09
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時間:2025-05-09
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-05-09
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-05-09
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區(qū)的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-05-09
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-05-09
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統(tǒng)應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-05-09
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-05-09
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-05-09
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-05-09
minilock-phantom iii 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-05-09
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-05-09
titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置？蓪蝹基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-05-09
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產高品質的薄膜。獨特的反應器設計可以在在極低的功率生產具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產環(huán)境中的所有安全，設施和工藝標準要求。
更新時間:2025-05-09
orion hdcvd 高密度氣相化學沉積系統(tǒng)采用高密度的化學氣相沉積技術，在惰性氣體進入口安裝感應線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當惰性氣體與揮發(fā)性物質結合時，會發(fā)生化學反應，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-05-09
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等沿域。
更新時間:2025-05-09
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-05-09
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-05-09
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導量子實驗室均使用該設備制備超導al結（量子比特和約瑟夫森結）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復性超導結。
更新時間:2025-05-09
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結合前驅體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-05-09
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-05-09
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質膜的低壓沉積。
更新時間:2025-05-09
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控無油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件，采用遠程現場總線技術，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-05-09
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設計與直接負載相結合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-05-09
sentech etchlab200 經濟型反應離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-05-09
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設計的優(yōu)點與直接負載的低成本設計相結合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-05-09
entech rie si591 平板電容式反應離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-05-09
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎，采用遠程現場總線技術，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設計特點。
更新時間:2025-05-09
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-05-09
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產。
更新時間:2025-05-09
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