光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-05-09
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準(zhǔn)過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準(zhǔn)，又可用于檢測曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時間:2025-05-09
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-05-09
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-05-09
100s接觸角測量儀是采用光學(xué)成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-05-09
德國kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-05-09
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-05-09
opticool超精準(zhǔn)全開放強磁場低溫光學(xué)研究平臺，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側(cè)面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設(shè)計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時間:2025-05-09
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設(shè)計。利用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應(yīng)的光學(xué)部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時間:2025-05-09
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設(shè)計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時間:2025-05-09
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-05-09
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-05-09
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-05-09
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-05-09
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-05-09
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過與sem的馬達驅(qū)動樣品臺聯(lián)動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區(qū)的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-05-09
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設(shè)定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-05-09
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術(shù)，標(biāo)配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-05-09
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-05-09
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-05-09
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-05-09
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-05-09
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-05-09
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置？蓪蝹基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-05-09
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時間:2025-05-09
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-05-09
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-05-09
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-05-09
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-05-09
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實驗室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時間:2025-05-09
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-05-09
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-05-09
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-05-09
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件，采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-05-09
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設(shè)計與直接負載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-05-09
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應(yīng)離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-05-09
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點與直接負載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-05-09
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-05-09
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點。
更新時間:2025-05-09
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-05-09
最新產(chǎn)品
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- 日東快速接頭 2025/5/10 22:23:59
- NITTO KOHKI快換接頭 2025/5/10 22:22:46
- 日東模具接頭 2025/5/10 22:22:22
- 日東水冷接頭 2025/5/10 22:21:14
- NITTO模具快速接頭 2025/5/10 22:20:17
- 抗體制備 2025/5/10 22:13:32
- 單抗制備 2025/5/10 22:12:24
- 蛋白表達 2025/5/10 22:11:57
- 噬菌體篩選 2025/5/10 22:10:14
- 單克隆抗體制備 2025/5/10 22:08:44