DF4822���w�����ԈDʾ�x
�� ��늘O����늉��_(d��)��500V���������_(d��)2A |
�� �߂佻��y���@ʾ����ͬ�r�@ʾ���O�ܵ������������� |
�� ��늘O���������10uA-0.2A/���� |
�� ���O늉�������50mV-0.5V/���� |
�� ��늘O늉�������50mV-50V/���� |
�� �A�����������5uA-10mA/���� |
�� �A��늉�������50mV-0.5V/���� |
�� �O�ԣ�����ؓ(f��)���n�� |
�� ÿ�弉��(sh��)��10��/���� |
���γߴ� | 310��138��300mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
�r�� | 2200Ԫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
���� | 10kg | |||||||||||||||||||||||||||||||||
���c | ԓ�x���ژ�(bi��o)��(zh��n)�İ댧(d��o)�w���ԈDʾ�x���A(ch��)���M(j��n)���˃�(y��u)���O(sh��)Ӌ�������w�eС���Ը���ʹ�ú�������c�����н���y���@ʾ��������ͬ�r�@ʾ���O�ܵ������������ԡ����ۃr���Ըߡ� | |||||||||||||||||||||||||||||||||
��Ҫ���g(sh��)����(sh��) |
|
���C(j��)����һ����(sh��)�ֻ��y���x���������·f�·�O(sh��)Ӌ���g(sh��)��ͨ�^̎�������п�������ϵ�y(t��ng)�Ĕ�(sh��)��(j��)�ɼ����@ʾ����ӡ���惦��̎���˙C(j��)������Ϣ�������и��ɶȡ�����������Ļ�@ʾ�yԇ�n�����ù��(bi��o)�yԇ���y�����ĸ��Nֱ������(sh��)�����Ɍ��yԇ�Y(ji��)���惦����ӡ���S�r�{(di��o)�������C(j��)�����Ѻõ��˙C(j��)������������Ӣ�ăɷN�Z�Թ��x����
��늘O������̖ | |
ݔ��늉������������������� | 0-10V 100A 0-50V 10A 0-200V 0.25A 0-1000V 0.05A |
��늘O������̖������ʽ | |
| �Ԅӣ�0��5S��1S��2S �քӣ��δ� |
����������裺 | 0-500k Ω����1��2��5�M(j��n)�ƹ�12�n |
���O�A����̖ | |
�A�����(IB)�� | 2μA����-1A��������1��2��5�M(j��n)�ƹ�18�n |
�A��늉�(VB)�� | 50mV����-2V��������1��2��5�M(j��n)�ƹ�5�n |
�A��ƫ��늉�(Δ VB)�� | ±10V |
Y�Sƫ�D(zhu��n)ϵ��(sh��) | |
��늘O�����IC����10μA/div-10A/div����1��2��5�M(j��n)�ƹ�19�n | |
X�Sƫ�D(zhu��n)ϵ��(sh��) | |
��늘O늉�(VC)��50mV/div-100V/div����1��2��5�M(j��n)�ƹ�11�n | |
���O늉�(VB)�� 50mV/div-2V/div����1��2��5�M(j��n)�ƹ�6�n |
(li��n)ϵ�҂���http://www.1718sh.com �Ԓ��021-51575232 51575252 ���棺021-51575133 ��ַ���Ϻ�����ɽ��·2281̖��R�����B15��
|
һ��YB6600�x����Ӱ댧(d��o)�w���ԈDʾ�x���c
�a(ch��n)Ʒ��B
YB580 IGBT(�^�����p�O�;��w��)�yԇϵ�y(t��ng)�����º��Q YB580 �yԇϵ�y(t��ng)������:���H늹�ί�T�� IEC 60747-9-2001 Ҏ(gu��)��,���χ���(bi��o) GB/T17007-1997 Ҏ(gu��)����YB580 �yԇϵ�y(t��ng)�DZ���˾�Ƴ���һ�N���M(j��n)�� IGBT �yԇϵ�y(t��ng)���m���о��������a(ch��n)��I(y��)��Ԫ�����Y�x�z���IGBT ���a(ch��n)�S�������a(ch��n)�yԇ��ԺУ���yԇ������
ϵ�y(t��ng)�ɔU(ku��)չ�ԏ�(qi��ng)��ͨ�^�x���������늉�������Ĝyԇ����,�Ԅӿ��ٜyԇ���ԝM���Ñ������a(ch��n)��Ҫ�������ʵ�Ҳ���C���Ñ������a(ch��n)Ч�ʡ��� PC ������ʾ��ݔ�뱻�y�����Ĝyԇ����(sh��)���������������������ˆT����߂䌣�I(y��)Ӌ��C(j��)�����Z��֪�R��ʹ�ú��ݷ�����ϵ�y(t��ng)���Î����_���ĸБ�(y��ng)�Y(ji��)��(g��u)�Ĝyԇ�������Ԅ��a������ϵ�y(t��ng)��(n��i)�����yԇ��|�L��������κΉ��������C���N��r�yԇ�Y(ji��)���Ĝ�(zh��n)�_�ɿ���ϵ�y(t��ng)�����@ʾ�b���܉r�@ʾϵ�y(t��ng)�ĸ��N������B(t��i)�͜yԇ�Y(ji��)����ϵ�y(t��ng)�ṩ�c�C(j��)е�֡�̽��_����X���B�ӽӿ�������֧�ָ��N��ͬ�o���O(sh��)�����B��ʹ����
��������
1�����O늉��� 0����2000V �� 2��늉��ֱ��ʣ�1mV�� 3�����O�����0����-50A(100A��200A��400A��
500A��700A��800A��1000A��1300A���x���� 4������ֱ��ʣ�1nA �� 5�����ȣ�0.5%+2LSB �� 6���yԇ�ٶȣ�0.5MS/����(sh��)��
7�����ṩ���x���� 3000V ꖘO�߉��x����
��̖ | �yԇ����(sh��) | �e�Q | ��̖ | �yԇ����(sh��) | �e�Q |
1) | �ŘO-�l(f��)��O�ֵ늉� | Vgeth | 2) | ��늘O-�l(f��)��O��ֹ��� | ICES |
3) | ��늘O���l(f��)��O����늉� | BVCES | 4�� | ��늘O-�l(f��)��O�늉� | VCESAT |
5�� | �ŘO-�l(f��)��O©������� | IGESF | 6�� | �ŘO-�l(f��)��O©������� | IGESR |
7�� | �T�O�_ͨ늉� | VGEON | 8�� | ���O�܉��� | VF |
9�� | ͨ�B(t��i)��� | ICON | 10�� | �猧(d��o) | GFS |
11�� | ��(d��o)ͨ��� | RDSON | 12�� | ��������������MOS,���w�ܵȣ��Ĝyԇ |
���g(sh��)Ҫ��
�����ضȣ� 25������40��
�A��ض�: -15������50��
������ȣ� 45%����80%
�A���ȣ�10%����90%
����늉���200v����240v
�Դ�l�ʣ�47HZ����63HZ
�ӵ�Ҫ����Դ��(y��ng)���ýӵء�
ͨ�Žӿڣ�RS232 USB
ϵ�y(t��ng)���ģ�<150w
�O(sh��)��ߴ磺450mm×570mm×280mm
CX2-4832��QT2�����w�܈Dʾ�x
�� ��늘O������� : 0.5μA/div~ 1A/div, max10A��5v���� ��늘O늉�����: 10mV/div-50V/div,max 500v�� �A���������:1μA/��~ 200mA/���� ��늘Oݔ��늉������ : 5000V��0.1A��10A��5V��
��һ������;�ԣ�Versatility��
�F(xi��n)���Ĝyԇ�O(sh��)����횵Ĺ��ܣ�����ܲ�����������������늉�֮���o��ĿǰIGBT�Įa(ch��n)Ʒ�������ͨ�^1200A�����늉��ɸ��_(d��)3300V��������֮��IGBT�Įa(ch��n)Ʒ�������_(d��)��4500V��2000A���������ҟo�˿��A(y��)�yδ����늉���������_(d��)�����٣��������F(xi��n)��IGBT �Ĝyԇ�O(sh��)�䣬Ҳ��ܜyԇ��Ԫ��MCTS �� MOS Contrlled Thyristort�� ����IGCT ��Integrated Gate-Commutated Thyristor����
��ˣ��yԇ�O(sh��)����u����������m��(y��ng)������δ�����ܵİl(f��)չ���䲻Փ��Ӳ�w����늉�����a(ch��n)������ܛ�w����
IWATSU��˾�Ƴ���CS-3000�o�Ñ��������ѵĽ�Q����
��������������Ease of Handling��
�yԇ�O(sh��)���������֮��ɫ�⣬��(y��ng)�Ա��ֲ������μ�Ч�ʼѵ��������_(d��)��Ŀ�����֮��������ʹ���߲�횾߂�����Ӗ(x��n)�����ɲ������O(sh��)�䡣����ʹ�þ��w�����ԈDʾ�x���Ñ���������������ӷ������˜yԇϵ�y(t��ng)��ɽ�(j��ng)���ظ�׃�yԇ�İ댧(d��o)�wԪ������ʽ��ͨ��һ�씵(sh��)�Σ������µİ댧(d��o)�wԪ������ʽ����ܕ��Ҫ��ͬ���ƾߣ�jig�������Ǹ���(f��)�s���(q��)���l���ƣ�����һ���_�� ��Sunbber�� �ı��o(h��)���������ʹ��ģ�M��ϵ �y(t��ng)�����_(d��)������֮������һ�������Ĝyԇϵ�y(t��ng)��������һЩ�ɸ��Q�Ĝyԇ��Ԫ��ʹ��Ɉ�(zh��)�в�ͬ�����a(ch��n)Ʒ�����y��
��������ȫ�ԣ�Safety��
IGBT�Ĝyԇϵ�y(t��ng)������ṩ�dz��ߵ�늉�ݔ�����������߁��v����һ ���ڵ�Σ�U������(d��ng)�ڲ�����늉���������r�������T�İ�ȫ�ԑ�(y��ng)���Կ��]����ԓ�O(sh��)����ڲ�ͬ���ҵ�Ҏ(gu��)���нԿɷ����䰲ȫ��(bi��o)��(zh��n)��
�ڈ�(zh��)�Мyԇ�r����Σ�U�ą^(q��)��(y��ng)ʹ�û���ʽ�T�i�������Ա��o(h��)�����Ѕ���(sh��)�ԑ�(y��ng)�O(sh��)���ڰ�ȫ�Ĺ����^(q��)���������еı��o(h��)��ʩ�Ŀ��ƽԑ�(y��ng)��Ӳ�w���݁�������������ܛ�w�����������@Ȼ���������l���a(ch��n)���ϣ��аl(f��)�yԇ�r�����r�g��һ������Ҫ���������������ȫϵ�y(t��ng)���Ҫ�ܷ��������M���ܵ،��yԇ���ٶ�Ӱ���С������
�o�B(t��i)�yԇ��Static tests��
�˜yԇ֮Ŀ�����ṩԪ����device����Ԕ��(x��)���ԣ��O(sh��)Ӌ���ܾ��_���A(y��)�yԪ���ڷ�(w��n)�B(t��i)��Steady state����r�r֮�О����˿Ʌf(xi��)��ʹ�����x����ѵ�Ԫ�����������đ�(y��ng)���������M(j��n)һ�����䌦�c�댧(d��o)�wԪ�����B�ӵ��O(sh��)���磺늉��Qʽ��Ԫ���l�O�(q��)������sϵ�y(t��ng)�ȵ��O(sh��)Ӌ����������
��һ������O����늉� ��Collector Emitter Breakdown Voltage�� VCEs ���y���ض��ļ��O���IC���l�O��·����O�r�����ڼ�����O�ɶ�֮늉���VcEs ��D1, IGBT �ļ���O����늉��Ǖ��S�����棨Junction���ض����Ӷ����ӵģ����͌�600V֮IGBT ����0.7V/�棩
���������O����O��й©���IcEs �ۻ�Q�鼯�O�Ľ�ֹ��Cut-off �������
���~���ļ���O늉����l��O��·��֮���O�����IcEsֵ����D2��, IcEs�����yͨ����25�漰���Ĺ������棨Junction���ض����Ҽ��Oй©��� �����S����ض����߶�������������ڜyԇ���g����������^������ thermal�����Ǻ���Ҫ����
���������O����O���늉� ��Collector to emitter saturation voltage�� VcEsat VcEsat���D3�������ض��ļ��O������l��O늉�������ضȕr֮����O��(d��o)ͨ늉�VcEsat���ஔ(d��ng)��Ҫ���������������Q����(d��o)֮ͨ�pʧ���ڴ�� �O����r���yԇ���}�_��횷dz�������˲������^��֮�pʧ��
���ģ����O�w���늉���Diode Forward Voltage�� VF
VF���D4����ָIGBTģ�M�е��w݆���O�w��Freewheeling Diode�����ض����
������ضȕr֮���?q��)�ͨ늉�ֵ�?
���壩�l�O�R��늉���Gate threshold Voltage�� VGeth VGeth���D5����ָ���ض����O������l�O��·�����O�r֮��O��늉�ֵ�� ��(d��ng)�l��O늉�С���R��ֵ�rIGBT��OFF��B(t��i)������l�O�R��늉������l��O늉�ʹIGBT��(d��o)ͨ�����^�ض��ļ��O�����VGEth���S������ض��������f�p�ģ�-11mV/�棩��
���� ���猧(d��o)��Transconductance�� gfs
�猧(d��o)��gfs�����D6�������ض����O����r�����O������l��O늉�֮�̔�(sh��) �� �猧(d��o)���Á���ʾIGBT����ķ�ʽ�����ڿ猧(d��o)�����y���������(y��n)����ض��l���������ăɂ����yֵ֮����ˣ��yԇ�O(sh��)��ľ���(zh��n)�Ԍ��yԇ�Y(ji��)���кܴ��Ӱ������
�ڶ��N�������{(di��o)���l��O늉����ض��ļ���O늉���VP����˼������ʽ�ӣ�
�� VGE = ��Vp
IGBT�����猧(d��o)�Ǖ��S������ض����߶����ӵ�����ԭ�����ڶ��l�O늉��r�����Ӽ��O����r�������Thermal run-away����ʹ��Ƭ�ض����ߣ����IGBT ���������h����(d��ng)��һ�����ԷŴ���ʹ����
���ߣ��l�O����O֮й©���IGEs
IGEs���D8����ָ���ض����l��O늉������O��·����O�r�l�O֮й©��� ���˜yԇ���ܿ���֪������ؓ(f��)���l��O늉��������y��������ஔ(d��ng)С����������}�_����횾S��һ���Դ���ڵķe�֕r�g���������l�O������յ�������a(ch��n)��֮�`���������y������l�O늉���(w��n)����ſ��M(j��n)����
���w�����ԈDʾ�x��һ�N��ʾ�����@ʾ�댧(d��o)�w�����ĸ��N�������������ɜy�����o�B(t��i)����(sh��)�Ĝyԇ�x����������(qi��ng)���������㣬���ڏ��°댧(d��o)�w�ܙC(j��)�����о����댧(d��o)�w�ڟo����I(l��ng)��đ�(y��ng)�����DZز����ٵĜyԇ���ߡ�